70r600p чем заменить транзистор
70r600p чем заменить транзистор
Наименование прибора: MMF70R600PTH
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Время нарастания (tr): 27.6 ns
Выходная емкость (Cd): 34.9 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
MMF70R600PTH Datasheet (PDF)
0.1. mmf70r600pth.pdf Size:1174K _magnachip
MMF70R600P Datasheet MMF70R600P 700V 0.6 N-channel MOSFET Description MMF70R600P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as lo
4.1. mmf70r600p.pdf Size:255K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor MMF70R600PFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
8.1. mmf70r900pth.pdf Size:1194K _magnachip
MMF70R900P Datasheet MMF70R900P 700V 0.9 N-channel MOSFET Description MMF70R900P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as lo
70r600p чем заменить транзистор
добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание
G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более
Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.
.| JMCJ писал: |
| Я профи ремонтом не занимаюсь. поменял на APM 2512N |
Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще 
| Сообщение Администрации : | ||||||||||||
 Удалено | Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5 | Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе |
мне надо найти аналог | Что на них написано? | я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например) | Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался? стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды. | IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31 LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32 FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог Элемент U19. Маркировка: Заранее Всем спасибо за содействие![/b] | Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер? | Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты | Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума. Элемент U19. Маркировка: |
Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb
Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?
Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы
Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб
исток обычно справа снизу если читать надпись
Но и это тоже дня через два закончилосью
Помогите определить что это и каковы его функции
Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23
Помогите найти аналог транзисторов
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24
70r600p чем заменить транзистор
Наименование прибора: MMD70R600PRH
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
Время нарастания (tr): 27.6 ns
Выходная емкость (Cd): 34.9 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
MMD70R600PRH Datasheet (PDF)
0.1. mmd70r600prh.pdf Size:1287K _magnachip
MMD70R600P Datasheet MMD70R600P 700V 0.6 N-channel MOSFET Description MMD70R600P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as lo
8.1. mmd70r900prh.pdf Size:1154K _magnachip
MMD70R900P Datasheet MMD70R900P 700V 0.9 N-channel MOSFET Description MMD70R900P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as lo
8.2. mmd70r750prh.pdf Size:1279K _magnachip
MMD70R750P Datasheet MMD70R750P 700V 0.75 N-channel MOSFET Description MMD70R750P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l
8.3. mmd70r1k4prh.pdf Size:1211K _magnachip
MMD70R1K4P Datasheet MMD70R1K4P 700V 1.4 N-channel MOSFET Description MMD70R1K4P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as lo
8.4. mmd70r900p.pdf Size:1206K _magnachip
MMD70R900P Datasheet MMD70R900P 700V 0.9 N-channel MOSFET Description MMD70R900P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as lo
70r600p чем заменить транзистор
Наименование прибора: IPD70R600P7S
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10.5 nC
Время нарастания (tr): 5.5 ns
Выходная емкость (Cd): 7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
IPD70R600P7S Datasheet (PDF)
IPD70R600P7SMOSFETDPAK700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charger, adapter,lighting, TV
5.1. ipd70r600ce.pdf Size:982K _infineon
IPD70R600CEMOSFETDPAK700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high
5.2. ipd70r600ce.pdf Size:242K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD70R600CE,IIPD70R600CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.6Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
70r600p чем заменить транзистор
Наименование прибора: IPD70R600CE
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 86 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 32 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
IPD70R600CE Datasheet (PDF)
0.1. ipd70r600ce.pdf Size:982K _infineon
IPD70R600CEMOSFETDPAK700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high
0.2. ipd70r600ce.pdf Size:242K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD70R600CE,IIPD70R600CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.6Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT